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半导体器件噪声参数确定中的非线性方程问题
高建军 教授
2021年1月14日(周四)9:30-10:30  闵行数学楼126室

*主讲人:高建军 教授
*时间:2021年1月14日(周四)9:30-10:30
*地点:数学楼126教室

*讲座内容简介:
低噪声集成电路设计的核心是半导体有源放大器件的四个噪声参数,离开了噪声参数就无法设计高水平的低噪声电路。
本次讲座主要介绍低噪声半导体器件器件的噪声电路模型,以及常用的噪声参数的求解方法。由于器件的噪声系数是四个噪声参数的强非线性方程,如何准确求解出器件的四个噪声参数目前仍然面临挑战。

*主讲人简介:
高建军,男,1968年出生。清华大学本科和博士毕业,中国科学院微电子研究所做博士后和副研究员。2001年至2004年,先后在新加坡南洋理工大学、德国柏林工业大学和加拿大卡尔顿大学做研究工作。2005年至2007年,担任东南大学无线电工程系教授和博士生导师,2007年起任华东师范大学紫江特聘教授和博士生导师。目前为中国电子学会高级会员,IEEE高级会员。独立发表英文专著三部和中文专著三部,以第一作者在IEEE会刊发表长文11篇。